Установка для выращивания монокристаллов полуизолирующего 4Н-SiC

В 2019 году в АО «Светлана-Электронприбор» заканчивается Комплексный проект по разработке и организации серийного производства производственной установки и базовой технологии выращивания полуизолирующих кристаллов карбида кремния (4H-SiC) диаметром 4 дюйма, предназначенных для изготовления компонентной базы для СВЧ электроники.