Публикации сотрудников фирмы в научных и др. журналах

Печать

 

Список публикаций ПАО «Светлана»

 

  1. Повышение надёжности и качества ГИС и МИС СВЧ// Книга 1 /Под ред. А.Г. Гудкова и В.В.Попова. – М. ООО «Автотест», 2012.- 212 с. (Агасиева С.В., Бушминский И.П., Вьюгинов В.Н., Ветрова Н.А., Гудков А.Г., Горлачёва Е.Н., Добров В.А., Леушин В.Ю.).
  2. Автоматизированный вероятностный анализ параметров - СВЧ микросхем// Нелинейный мир.-2012. –Т.10.-№12.-С.885-894. (Гудков А.Г., Попов В.В., Зенин П.С., Мешков С.А.).
  3. Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 24. Защитные устройства СВЧ миллиметрового диапазона частот// Машиностроитель.- 2012.- №1. - с.6-14 (Гудков А.Г., Кирилов А.В., Попов В.В., Романов Л.Г., Смирнов В.А.).
  4. Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 25. Широкополосные защитные устройства СВЧ// Машиностроитель.- 2012.- №2. - с.31-37 (Гудков А.Г., Кирилов А.В., Попов В.В., Романов Л.Г., Смирнов В.А.).
  5. Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 26. МИС широкополосного аттенюатора СВЧ// Машиностроитель.- 2012.- №3. - с. 34-35 (Волков В.В. Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Добров В.А., Зыбин А.А., Петров П.А., Попов В.В., Савин А.М.).
  6. Гетероструктурная СВЧ-электроника в России// Электромагнитные волны и электронные системы. – 2012. - №1. – С. 4-9 (Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Добров В.А., Мешков С.А., Попов В.В.).
  7. Технологическая оптимизация ГИС и МИС дискретных атте­нюаторов//Электромагнитные волны и электронные системы. -2012. - Т.17.-№11.- С. 42-47 (Гудков А.Г., Попов В.В.).
  8. Технологическая оптимизация дискретных ГИС и МИС фа­зовращателей// Электромагнитные волны и электронные системы. -2012. - Т.17.-№12.- С. 33-39 (Гудков А.Г., Попов В.В.).
  9. Становление вакуумной элек­тронной промышленности в Санкт-Петербурге. Роль «Светланы» в развитии отечественной вакуумной электроники// История отечественной электроники. Том 1. Под ред. директора Департамен­та радиоэлектронной про­мышленности Минпромторга России А.С.Якунина. -М. Издательский Дом «Сто­личная энциклопедия», 2012, с 150-155 (Попов В.В., Клевцов В.А.).
  10. СВЧ управляющие устройства для ФАР и АФАР, разрабо­танные в ОАО «Светлана»// История отечественной электроники. Том 1. Под ред. директора Департамен­та радиоэлектронной про­мышленности Минпромторга России А.С.Якунина. -М. Издательский Дом «Сто­личная энциклопедия», 2012, с 354-357 (Вьюгинов В.Н., Кузнецов В.И., Попов В.В., Смирнов А.Д.).
  11. Полупроводниковые защит­ные устройства и комплексированные изделия на их осно­ве// История отечественной электроники. Том 1. Под ред. директора Департамен­та радиоэлектронной про­мышленности Минпромторга России А.С.Якунина. -М. Издательский Дом «Сто­личная энциклопедия», 2012, с 363-366 (Кириллов А.В., Попов В.В.).
  12. Element base for radio passive device// VIII Russian - Bavarian Conference on Biomedical Engineering, 29-31 MAY 2012, P.154-155 (Leushin V., Korolev A., Plyutshev V., Popov V., Silkin A., Sidorov I.).
  13. Усилители на основе нитрид-галлиевых гетероструктур для применения в приемо­передающих модулях АФАР// Белорусско-Российская на­учно-практическая конференция по военно-техническому сотрудниче­ству, 16-18 мая 2012, Минск, с 150-151.Тезисы докладов (Вьюгинов В.Н., Зыбин А.А., Клевцов В.А., Попов В.В., Шифман Р.Г.).
  14. Диагностика накопления заряда при ионизирующем облучении МОП-транзисторов на основе кремния. // Тезисы IX Международной конференции «Кремний-2012». – СПб., 2012. С.373 (Александров О.В. , Высоцкая С.А., Смирнов В.С.).
  15. Накопление объёмного и поверхностного зарядов в МОП-транзисторах при ионизирующем облучении // Труды XXII Международной конференции «Радиационная физика твёрдого тела». – М., 2012. С.448-455 (Александров О.В. , Высоцкая С.А.).
  16. Пять секретов производства // ИТ-менеджер. 2012. №5. С. 62-65 (Горшенин С.Я.).
  17. «САУНА» как автоматизация недвижимости // ИТ-менеджер. 2012 . №4. С. 72-769 (Горшенин С.Я.).
  18. Межфирменное взаимодействие как фактор инновационного развития высокотехнологичных предприятий// Инновации. – 2011. – №3. –С. 56-64. (Верба В.С., Горлачева Е.Н., Гудков А.Г., Клевцов В.А., Леушин В.Ю., Попов В.В., Цыганов Д.И.).
  19. Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства Часть 18. Гетероструктурная СВЧ - электроника России: день сегодняшний// Машиностроитель.- 2011.- №7. - с. 31-36 (Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Добров В.А., Попов В.В., Мешков С.А.).
  20. Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства Часть 19. Элементы МИС СВЧ// Машиностроитель.- 2011.- №8. - с. 54-58 (Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Добров В.А., Попов В.В., Савин А.М.).
  21. Прогнозирование качества и надежности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства Часть 20. Широкополосное защитное устройство в монолитном интегральном исполнении// Машиностроитель.- 2011.- №9. - с. 51-54 (Бирюлева Е.Г., Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Зыбин А.А., Попов В.В.).
  22. Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства Часть 21. Оптимальное проектирование дискретного фазовращателя в МИС исполнении// Машиностроитель.- 2011.- №10. - с.30-34 (Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Добров В.А., Попов В.В., Савин А.М.).
  23. Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства Часть 22. Обеспечение надёжности и качества конструкции дискретного фазовращателя// Машиностроитель.- 2011.- №11. - с.38-45 (Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Добров В.А., Попов В.В., Савин А.М.).
  24. Прогнозирование качества и надёжности ГИС и МИС СВЧ на этапах разработки и производства Часть 23. Устройства защиты приёмного СВЧ тракта// Машиностроитель.- 2011.- №12. - с.40-51 (Гудков А.Г., Кирилов А.В., Романов Л.Г., Смирнов В.А., Попов В.В.).
  25. Взаимодействие технологических инноваций и технологической наследственности в процессе эволюционного развития технологий// Наукоемкие технологии. – 2011. - №9. – С.61-69 (Гудков А.Г., Попов В.В.).
  26. Учет наследственных свойств при комплексной технологической оптимизации МИС СВЧ//21-я Международная Крымская конференция СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрыМиКо 2011) (Гудков А.Г., Леушин В.Ю., Попов В.В., Вьюгинов В.Н., Добров В.А., Мешков С.А.).
  27. Модель образования фиксированного заряда в термическом диоксиде кремния // ФТП. Т. 45. 2011. № 4. С. 474-480 (Александров О.В. , Дусь А.И.).
  28. Модель диффузии бора в карбиде кремния из газовой фазы // ФТП. Т. 45. 2011. № 6. С. 721-728 (Александров О.В. , Мохов Е.Н.).
  29. Механизм образования фиксированного заряда в системе Si-SiO2.// Материалы XII международной конференции «Физика диэлектриков (Диэлектрики-2011)». – СПб., 2011. Т.1. С.32-35 (Александров О.В. , Дусь А.И.).
  30. Накопление заряда в МОП-транзисторах при рентгеновском облучении // Материалы XII международной конференции «Физика диэлектриков (Диэлектрики-2011)». – СПб., 2011. Т.1. С.321-323 (Александров О.В. , Высоцкая С.А., Поторочина А.В., Сорокин П.Б.).
  31. ИТ-отдел: версия 3.0 // ИТ-менеджер. 2011. №12. С. 60-66 (Горшенин С.Я.).
  32. Телефонный разговор с идеальным поставщиком // Intelligent Enterprise / RE («Корпоративные системы»). 2011. №1. С. 48-49 (Горшенин С.Я.).
  33. Волоконно-оптические интерферомитрические измерители акустических сигналов с полупроводниковыми лазерными источниками. // Материалы 8-й Белорусско-Российской конференции «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе». – Минск, 2011. Т.1. С 167-171. (Кудряшов А.В., Лиокумович Л.Б., Медведев А.В.).
  34. Возможности инновационного развития производства медицинского оборудования для службы крови// Биомедицинская радиоэлектроника. – 2010. -№ 1. – С. 54- 64. (Гудков А.Г., Бородавко В.И., Верба В.С., Гудков А.Г., Лазаренко М.И., Леушин В.Ю., Попов В.В., Филатов А.В.).
  35. Комплексный подход при создании высокотехнологичной медицинской техники// Научно- техническая конференция «Медико-технические технологии на страже здоровья». Сборник докладов 25 сентября-02 октября 2010г., Кипр, г.Ларнака, -М: НИИ РЛ МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2010. – С. 215-217 (Верба В.С., Гудков А.Г., Попов В.В., Щукин С.И.).
  36. Diffusion of Al from implanted SiC layer //Physica B. V.404. 2010, p. 4764-4767 (Aleksandrov O.V., Kalinina Е.V.).
  37. Коробочное или самописное ПО: анатомия выбора // ИТ-менеджер. 2010. №12. С. 34-37 (Горшенин С.Я.).
  38. Что кроется за буквами ИТ? // ИТ-менеджер. 2010. №7. С. 28-31 (Горшенин С.Я.).
  39. «Аристотель», или ERP для CИО // ИТ-менеджер. 2010 . №6. С. 36-39 (Горшенин С.Я.).
  40. Как вымыть слона, или как мы это делаем // ИТ-менеджер. 2010. №5. С. 34-38 (Горшенин С.Я.).
  41. Прежде чем автоматизировать бизнес надо автоматизировать ИТ // Rational Enterprise Management / Рациональное управление производством. 2010. №5. С. 14-16 (Горшенин С.Я.).
  42. Перераспределение Al в имплантированных слоях SiC в процессе термического отжига // ФТП. Т. 43. 2009. № 5. С. 584-589 (Александров О.В., Калинина Е.В.).
  43. Эффект ориентации поверхности кремния в модели объемного термического окисления // ФТП. Т. 43. 2009. № 10. С. 1413-1418 (Александров О.В., Дусь А.И.).
  44. Моделирование взаимодействия никеля с карбидом кремния при формировании омических контактов // ФТП. Т. 43. 2009. № 7. С. 917-923 (Александров О.В., Козловский В.В.).
  45. Modeling of the interfacial interaction of nickel with silicon carbide under proton irradiation // Nuclea Instruments and Methods in Physics Research. Section B. 2009. Vol. 267, p. 491–495 (Aleksandrov O.V., Kozlovski V.V.).
  46. Объёмная модель быстрого термического окисления // Поверхность. 2009. № 8. С. 57-63 (Александров О.В., Дусь А.И.).
  47. ОКБ МГП - "С.Е.Д. - СПб": Научный центр проектирования и разработок электровакуумных генераторных и модуляторных приборов // История Отечественной Электроники - Москва, 2012. Т 1. С. 156-160  (Ветров Н.З., Прилуцкий В.С., Рощин Р.Я.).
  48. Генераторные лампы ОАО "Светлана" для однополосной связи и усилителей распределенного усиления (УРУ) // История Отечественной Электроники - Москва, 2012. Т 1. С. 161-167 (Клевцов В.А., Лесняк В.П., Прокофьев В.Д., Сачков А.И.).
  49. О развитии класса широкополосных усилительных клистронов малой и средней мощности в ОАО "Светлана" // История Отечественной Электроники - Москва, 2012. Т 1. С. 168-174 (Петров Г.С., Тув А.А., Шифман Р.Г., Попов В.В.).
  50. ЗАО "Светлана-Рентген" - ведущее российское предприятие по разработке и производству рентгеновских трубок // История Отечественной Электроники - Москва, 2012. Т 1. С. 175-181 (Куликов Н.А., Баженова О.Б., Сербин В.А.).
  51. СВЧ-управляющие устройства для ФАР И АФАР, разработанные в ОАО "Светлана" // История Отечественной Электроники - Москва, 2012. Т 1. С. 354-357 (Вьгинов В.Н., Кузнецов В.И., Попов В.В., Смирнов А.Д.).
  52. СВЧ-генераторы малой мощности разработки ОАО "Светлана" // История Отечественной Электроники - Москва, 2012. Т 1. С. 358-362 (Вьюгинов В.Н., Добров В.А., Уман С.Д.).
  53. О развитии дискретных полупроводниковых приборов в ОАО "Светлана" // История Отечественной Электроники - Москва, 2012. Т 1. С. 416-418 (Ванслов А.С., Евлампиев И.К., Ефремов М.Л., Матвеев В.И.).
  54. Разработки ОАО "Светлана" в микроэектронике // История Отечественной Электроники - Москва, 2012. Т 1. С. 627-630 (Цветов В.П.).
  55. Модели технологических инноваций // Известия высших учебных заведений России 3. Радиоэлектроника 2013 - Санкт-Петербург, 2013. С. 59-66 (Горлачева Е.Н., Гудков А.Г., Омельченко И.Н., Клевцов В.А., Попов В.В.)
  56. Перспективы применения подложек карбида кремния производства ОАО "Светлана" при создании электронных приборов нового поколения // Индустрия, 2016, №1(95), С. 53-55 (Вьюгинов В.Н., Ребров А.Н., Травин Н.К., Григорьев А.Д., Паршин В.В., Серов Е.А., Клевцов В.А.).
  57. Современное состояние и перспективы развития СВЧ-приборов и устройств в ОАО "Светлана" // Наука и технологии в промышленности, 2015, №1-2, С.42-44 (Попов В.В.).
  58. Моделирование высокочастотных электромагнитных полей в слоистых структурах. - Труды Всероссийской конференции «Электроника и микроэлектроника СВЧ», Санкт-Петербург, 3 – 6 июня 2013 г, С.-4 (Григорьев А.Д.).
  59. Микро и наноструктурирование водной компоненты биотканей в построении новых методов радиоэлектронных биомедицинских нанотехнологий диагностики и терапии крайне высокочастотного и терагерцового диапазонов. - Труды Всероссийской конференции «Электроника и микроэлектроника СВЧ», Санкт-Петербург, 3 – 6 июня 2013 г, 6 стр. (Синицын Н.И., Елкин В.А., Григорьев А.Д.).
  60. Григорьев А.Д., Тупицын А.Д. Интегральный измеритель коэффициента отражения в микроволновом химическом реакторе. – Изв. ВузовРоссии. Сер. Радиоэлектроника, 2013, № 2, С. 77-81.
  61. A.D. Grigorev. Reduction of Human Body Effect on Mobile Handset Antennas. – Proceedings of the European microwave conference, Munich, October 7 – 11, 2013, 4 pp. (А.Д. Григорьев. Уменьшение воздействия человеческого тела на антенны сотовых телефонов. – Труды Европейской международной конференции, Мюнхен, 7 – 11 Октября 2013 г., С. 4).
  62. Современные программные средства моделирования высокочастотных электромагнитных полей. Труды всероссийской конференции «Проблемы СВЧ электроники», Москва, 24-25 октября 2013 г, С. 11-15 (Григорьев А.Д.).
  63. Измерение параметров карбид-кремниевых подложек на СВЧ. – Изв. Вузов России. Сер. Радиоэлектроника, 2013, № 3, С. 80-84 (Вьюгинов В.Н., Уланова Т.А., Григорьев А.Д.).
  64. Методы вычислительной электродинамики. – М.: Физматлит, 2013, С. 430 (Григорьев А.Д.)
  65. Интегральный измеритель коэффициента отражения в микроволновом химическом реакторе. – Изв. Вузов России, Сер. Радиоэлектроника, 2013, № 2, С. 77-80 (Григорьев А.Д., Тупицан А.Д., Прищепенко Б.В.).
  66. Многозазорные резонаторы для мощных усилительных клистронов миллиметрового диапазона. Труды 2-й Всеросс. конф. «Электроника и микроэлектроника СВЧ», Санкт-Петербург, 2-5 июня 2014 г., С. 131 – 135 (Григорьев А.Д.).
  67. Мощные когерентные источники излучения терагерцового диапазона. Труды 11-й Междунар. конф. «Актуальные проблемы электронного приборостроения», Саратов, 25-26 сентября 2014 г., Т. 1, С. 11-18.
  68. Григорьев А.Д. Современные программные средства моделирования высокочастотных электромагнитных полей. Радиотехника и электроника, 2014, т.59, № 8, С. 804-808 (Григорьев А.Д.)
  69. Modern computer tools for high frequency electromagnetic fields simulation. J. Comm. Techn. Electronics, 2014, V. 59, No 8, Pp. 847-854. (Grigorev A.D.).
  70. Адаптивные антенны для сотовых телефонов. Труды III НТК с международным участием «Наука настоящего и будущего», СПб, 2015, С. 145-147 (Григорьев А. Д., Джалилов Б. О.).
  71. Проблемы разработки источников мощного когерентного излучения терагерцевого диапазона. Сб. статей 3-й Всероссийской конференции «Электроника и микроэлектроника СВЧ», С.-Петербург, 2015, С. 139-143 (Григорьев А.Д. ).
  72. Разработка резонаторной системы для клистрона W-диапазона с ленточным электронным пучком. Сб. статей 3-й Всеросс. конф. «Электроника и микроэлектроника СВЧ», Санкт-Петербург, 2-5 июня 2014 г., С. 144 – 148. (Григорьев А.Д.).
  73. Электрически перестраиваемая антенна для сотовых телефонов. Сб. статей 3-й Всеросс. конф. «Электроника и микроэлектроника СВЧ», Санкт-Петербург, 2-5 июня 2014 г., С. 149 – 152 (Григорьев А.Д., Джалилов Б.О.).
  74. Исследование эффекта деполяризации микроволнового излучения скрытыми опасными объектами на теле человека. Сб. статей 3-й Всеросс. конф. «Электроника и микроэлектроника СВЧ», Санкт-Петербург, 2-5 июня 2014 г., С. 153 – 155 (Григорьев А.Д., Мещеряков В.В.).
  75. Проектирование усилительного клистрона W-диапазона // Труды НТ конференции СВЧ – электроника 2015. Наука. Технология. Производство. М. Исток, 13-14 мая 2015 г., С.1 5-19 (Григорьев А.Д. Морозов С.Н.).
  76. Проектирование лампы бегущей волны миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов // Труды НТ конференции СВЧ – электроника 2015. Наука. Технология. Производство. М. Исток, 13-14 мая 2015 г., С. 20-23 (А.Д. Григорьев, А.С. Иванов, В.А. Ильин, В.В. Лучинин, В.Н. Титов).
  77. Проблемы создания мощных источников когерентного излучения терагерцевого диапазона. Труды конференции «Вакуумная наука и техника», Феодосия, 26.09-04.10 2015 г., С. 232-236 (Григорьев А.Д.).
  78. Резонаторные системы для клистронов миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн. Труды II Всероссийской объединенной научной конференции «Проблемы СВЧ-Электроники», Москва, 24-25 октября 2015 г., С. 23-26 (Григорьев А.Д.).
  79. Проектирование усилительного клистрона W-диапазона. Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника, 2015, Вып. 4(527), С. 22-27 (Григорьев А.Д., Морозов С.Н.).
  80. Проектирование лампы бегущей волны миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов // А.Д. Григорьев, А.С. Иванов, В.А. Ильин, В.В. Лучинин, В.Н. Титов. - Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника, 2015, Вып. 4(527), С. 28-34 (Григорьев А.Д.).
  81. Электрически перестраиваемая антенна для сотовых телефонов. – Известия вузов России. Радиоэлектроника, 2015, № 5, С. 39-41 (Григорьев А.Д., Джалилов Б.О.).
  82. Исследование эффекта изменения поляризации микроволнового излучения скрытыми объектами на теле человека. – Известия вузов России. Радиоэлектроника, 2015, № 6, С. 41-46 (Григорьев А.Д., Мещеряков В.В., Семенов С.Н.).
  83. Моделирование и экспериментальные исследования GaN СВЧ транзисторов // Физика и техника полупроводников, Санкт-Петербург, 2016, Том 50, № 2, С. 245-249. Оубликована на сайте НЭБ (http://elibrary.ru/) (В.Г.Тихомиров, В.Е.Земляков, А.Ф.Цацульников,В.В.Волков, Я.М.Парнес, В.Б.Янкевич).

  84. Сверхширокополосный автономный антенный переключатель для коротких видеоимпульсов (А.В. Кириллов, А.Ф. Кардо-Сысоев, В.А. Клевцов).

  85. Радиационно-стойкие аналоговые ключи для аппаратуры космического назначения (Ю.Ф. Доманский, В.А. Клевцов, В.Н. Коннов, С.В. Шведов, А.В. Усталов).

  86. Исследование подложек полуизолирующего 6H-SiC для применения в СВЧ электронике (В.Н. Вьюгинов, А.Н. Ребров, А. Зыбин, Н.К. Травин).

  87. Попов В.В. Новые подходы к разработке модулей СВЧ в интегральных исполнениях. – Машиностроитель. – 2014. - №7. – с.34-43.

  88. Полуизолирующие  6H-SiC подложки для применения в современной электронике // ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ, N2, 2014 (А. А. Лебедев, С. В. Белов, С. П. Лебедев, Д.П. Литвин, И. П. Никитина, А. В. Васильев, Ю. Н. Макаров, С. С. Нагалюк, А. Н. Смирнов, В.В. Попов, В. Н. Вьюгинов, Р. Г. Шифман, Ю. С. Кузмичёв, Н. К. Травин, О. В. Венедиктов).

  89. Полуизолирующие  6H-SiC подложки для применения в современной электронике // Труды перовой российско-белорусской научно-технической конференции элементная база отечественной радиоэлектроники (А. А. Лебедев, С. В. Белов, С. П. Лебедев, Д.П. Литвин, И. П. Никитина, А. В. Васильев, Ю. Н. Макаров, С. С. Нагалюк, А. Н. Смирнов, В.В. Попов, В. Н. Вьюгинов, Р. Г. Шифман, Ю. С. Кузмичёв, Н. К. Травин, О. В. Венедиктов).

  90. Прогнозирование качества и надежности ИС СВЧ на этапах разработки и производства // Часть 46. Транзисторы GaN с длиной затвора 0,5 мкм и периферией 500 мкм и 1500 мкм. Машиностроитель. 2014. – №1. – с. 42 (Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Волков В.В., Зыбин А.А., Попов В.В.).

  91. Прогнозирование качества и надежности ИС СВЧ на этапах разработки и производства // Часть 48. МИС фазовращателя на p-i-n диодах в корпусах для поверхностного монтажа.  Машиностроитель. 2014. – №3. – с. 28 (Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Волков В.В., Зыбин А.А., Попов В.В., Шаганов П.А.).

  92. Прогнозирование качества и надежности ИС СВЧ на этапах разработки и производства //  Часть 49. 6-разрядные КМОП драйверы с параллельным и последовательным интерфейсом для управления GaAs транзисторами. Машиностроитель. 2014. – №4. – с. 25 (Вартанов О.С., Вьюгинов В.Н.,  Гудков А.Г., Евлампиев И.К.,  Попов В.В.).

  93. Новые подходы к разработке модулей СВЧ в интегральных исполнениях // Машиностроитель. 2014. – №7. – с. 34 (Попов В.В.).

  94. Антенны - аппликаторы для систем радиотермокартирования // Машиностроитель. 2014. – №8. – с. 36 (Бобрихин А.Ф., Гудков А.Г., Леушин В.Ю., Лось В.Ф., Попов В.В., Порохов И.Ю., Сидоров И.А.).

  95. Комплексный подход при создании прецизионных устройств для обработки и хранения компонентов и препаратов крови // Машиностроитель. 2014. – №8. – с. 46 (Бобрихин А.Ф., Гудков А.Г., Леушин В.Ю., Попов В.В., Лемонджава В.Н.).

  96. Способы измерения удельного сопротивления подложек полуизолирующего карбида кремния // Нанотехнологии. 2014. - №3 т.6. – с.27 (Попов В.В.).

  97. Разработка технологии финишной подготовки поверхности подложек карбида кремния epi-ready для эпитаксии // Нанотехнологии. 2014. - №3 т.6. – с.33 (Попов В.В.).

  98. Монолитные интегральные устройства СВЧ // Нанотехнологии. 2014. - №3 т.6. – с.37 (Попов В.В., Бирюлева Е.Г., Вартанов О.С., Вьюгинов В.Н., Гудков А.Г., Волков В.В., Грозина М.И., Добров В.А., Евлампиев И.К., Зыбин А.А., Иванова В.П., Петров П.А., Савин А.М., Шаганов П.А.).

  99. Результаты разработки технологии резки монокристаллов карбида кремния // Нанотехнологии. 2014. - №4 т.6. – с.4 (Попов В.В., Вьюгинов В.Н., Травин Н.К.).

  100. Комплексный подход к разработке модулей СВЧ в интегральном исполнении // Нанотехнологии. 2014. - №4 т.6. – с.8 (Попов В.В.).

  101. Современное состояние и перспективы развития электроники СВЧ в ОАО «Светлана» // Машиностроитель. 2014. – №9. – с. 26 (Попов В.В.).

  102. Технология финишной подготовки поверхности подложек карбида кремния epi-ready для эпитаксии // Техника машиностроения. 2014. – №4 (92). – с. 17 (Попов В.В.).

  103. Методика измерения удельного сопротивления подложек полуизолирующего карбида кремния // Машиностроитель. 2014. – №11. –  с. 27 (Попов В.В.).