29 января 2016

Печать

 

В январе 2016 года завершена научно-техническая программа Союзного государства «Перспективные полупроводниковые гетероструктуры и приборы на их основе» (далее – Программа), утвержденная постановлением Совета Министров Союзного государства от 6 октября 2011 года № 26 (уточненная редакция - постановлением Совета Министров Союзного государства от 11 октября 2013 года № 5).
Целью Программы являлось создание конструкций и технологий производства перспективных полупроводниковых гетероструктур и на их основе конкурентоспособных изделий микроэлектроники и оптоэлектроники новых поколений, в том числе создание импортозамещающих изделий, а также создание конкурентной продукции рынков государств-участников Союзного государства и мирового сообщества.
Государственным заказчиком Программы от Российской Федерации являлось Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России) с приданием ему функций государственного заказчика-координатора, государственным заказчиком от Республики Беларусь – Национальная академия наук Беларуси (НАН Беларуси).

 

Головными исполнителями Программы являлись:
от Российской Федерации – Открытое акционерное общество «Светлана» (ОАО «Светлана»), г. Санкт-Петербург;
от Республики Беларусь – Государственное научное учреждение «Институт физики имени Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси» (Институт физики НАН Беларуси), г. Минск.
В реализации Программы участвовало 13 предприятий и организаций радиоэлектронной промышленности России и Беларуси.
В результате выполнения мероприятий Программы разработано 64 образца изделий, в т.ч. ряд перспективных наногетероструктур, чипы QWIP-матриц, полупроводниковые и твердотельные лазеры, высокоэффективные светодиоды, МИС, лазерные и светодиодные устройства.
Основные области применения разработанных в Программе изделий охватывают лазерные и светодиодные системы инфракрасной подсветки, приборы ночного видения, бортовые волоконно-оптические линии связи, беспроводную оптическую связь, лазерные дальномеры, медицинские системы лазерной терапии двойного назначения, ИК-спектрометры для обнаружения газов и взрывчатых веществ и многие другие области применения. Результаты, полученные при выполнении Программы, созданные научно-технический, технологический и производственный заделы, а также сложившуюся кооперацию рекомендуется использовать при разработке конструкций и технологий производства новых перспективных полупроводниковых гетероструктур и на их основе конкурентоспособных изделий микроэлектроники и оптоэлектроники новых поколений для решения широкого круга задач государств-участников Союзного Государства.

 

Клевцов Рапота

Заседание Совета Делового сотрудничества Республики Беларусь и Санкт-Петербурга. «Ленэкспо», СПб. Заместитель генерального директора по научно-техническому развитию ОАО «Светлана» В.А. Клевцов знакомит с результатами программы «Прамень» государственного секретаря Союзного государства Г.Рапоту, премьер-министра Республики Беларусь А. Кобякова, Губернатора Санкт-Петербурга Г.Полтавченко и президента СПб Ассоциации предприятий радиоэлектроники, приборостроения, средств связи и инфо-телекоммуникаций, президента ОАО "Авангард" В.Шубарева.

19 октября 2015

Печать

 

В рамках прошедшего в начале октября VIII Петербургского международного инновационного форума (ПМИФ) генеральный директор ОАО "Светлана" Гладков Никита Юрьевич был награжден премией "Эксперт года в инновационно-промышленной сфере".

Вручение дипломов в восьми номинациях провели главный редактор журнала "Эксперт Северо-Запад" Роман Романюк и заместитель председателя Комитета по промышленной политике и инновациям СПб Алексей Васильев.

 

04

  Генеральный директор ОАО "Светлана"
Гладков Никита Юрьевич

28 сентября 2015г

Печать

 

28 сентября – 3 октября в городе Алушта была проведена международная конференция «Микроэлектроника 2015. Интегральные схемы и микроэлектронные модули – проектирование, производство и применение». Организаторами конференции стали Минпромторг РФ, Государственная корпорация «Ростех», АО «Российская электроника», ОАО «НИИМЭ и Микрон», АО «НИИМА «Прогресс».В конференции приняли участие 240 специалистов радиоэлектронной отрасли из 17-ти городов России, а также специалисты Республики Беларусь и Китайской Народной Республики. Пленарные доклады и тематика круглых столов были посвящены тенденциям и стратегии развития микро- и нанотехнологий, научно-техническим проблемам создания космических микроэлектронных систем нового поколения, развитию электроники, перспективам развития САПР отечественного рынка микроэлектроники.

В мероприятиях конференции приняли активное участие как ведущие специалисты – разработчики электронной компонентной базы (ЭКБ) и разработчики радиоэлектронной аппаратуры, так и научные работники высшей школы и учреждений РАН.В Алуштинской конференции приняли участие пять специалистов ОАО «Светлана»: заместитель генерального директора ОАО по научно-техническому развитию В.А. Клевцов, специалисты ЗАО «Светлана-Полупроводники» - заместитель начальника СКТБ В.Н. Коннов и начальник отдела С.А. Красноперов, а также творческая молодежь ЗАО «Светлана-Электронприбор» - главный метролог А.Н. Ребров и ведущий специалист Я.М. Парнес. Были представлены четыре доклада по ряду перспективных направлений: радиационно-стойким аналоговым ключам для аппаратуры космического назначения, элементной базе сверхширокополосных короткоимпульсных видеолокаторов, экспериментальным исследованиям в области нитрид-галлиевых транзисторов и расширению областей СВЧ применения подложек карбида кремния. Презентации по результатам указанных НИОКР вызвали большой интерес аудитории.

Конференция в Алуште
  Светлановцы - участники конференции «Микроэлектроника 2015».
Парнес Я.М., Ребров А.Н., Клевцов В.А., Коннов В.Н., Красноперов С.А.

  

Внедрение этих результатов в производство внесет существенный вклад в развитие отечественного рынка электроники. В целом работа в секциях и на круглых столах, неформальное общение с коллегами были крайне полезными для специалистов «Светланы» как с точки зрения повышения уровня знаний о перспективах научно-технического развития микроэлектроники и радиоэлектронной аппаратуры на ее основе, так и с точки зрения понимания проблем вхождения создаваемых новых технологий и изделий в отечественный рынок.

 

21 мая 2015г.

Печать

 

21 мая 2015 года в Белом доме состоялась торжественная церемония
награждения лауреатов Премии Правительства Российской Федерации
в области науки и техники за 2014 год.

 

Сердечно поздравляем наших лауреатов, получивших из рук Председателя
Правительства Российской Федерации Д.А. Медведева дипломы лауреатов и
медали за разработку и создание новой техники. 

 

Diplom 

 

  

 

Popov premia

 

Попов Владимир Васильевич,
президент ОАО «Светлана»

          

  

 

Kulikov

 

Куликов Николай Александрович,
директор ЗАО «Светлана-Рентген»

5 сентября 2014г.

Печать

 

5 сентября в ОАО «Светлана» состоялось совещание на тему «Результаты разработки и внедрения базовой технологии выращивания монокристаллов полуизолирующего карбида кремния и производства из него подложек в ОАО «Светлана». Совещание проведено по инициативе и с участием заместителя генерального директора по стратегическому развитию и реализации государственных программ ОАО «Российская электроника» А.В. Брыкина с целью определения текущего состояния и реально достигнутых технических характеристик подложек полуизолирующего карбида кремния, а также обсуждения перспектив развития данного направления в ОАО «Светлана» в интересах радиоэлектронной отрасли. В совещании приняли участие представители ОАО «НПП «Пульсар», ОАО «ГЗ «Пульсар», ОАО «НПП «Исток» им. Шокина, ЗАО «Элма-Малахит», ОАО «ОКБ-Планета», ОАО «НИИ особо чистых материалов», ЗАО «Светлана-Рост», ФГУП «МНИИРИП», ФГУП «МКБ «Электрон», ОАО «Радиофизика», ФГБУН НТЦ микроэлектроники и субмикронных ГС РАН, ФГБУН ИСВЧПЭ РАН, ФТИ им. А.Ф. Иоффе, СПбГПУ, СПбГЭТУ. Участники совещания подробно ознакомились с производственными участками и работой технологического оборудования: двумя установками роста монокристаллов; станками округления монокристаллов, шлифовки, полировки и химико-механического полирования подложек, а также метрологическим оборудованием для измерения геометрических размеров и удельного сопротивления подложек. На совещании состоялась презентация технологии роста монокристаллов и производства подложек, в которой были даны сравнения параметров, достигнутых в ОАО «Светлана», с аналогами из США, Швеции и Китая. Основные итоги совещания: 031. В ОАО «Светлана» в течение 2011-14 годов впервые в России была поставлена промышленная технология производства монокристаллов и подложек полуизолирующего карбида кремния. Качество подложек ОАО «Светлана» не уступает лучшим зарубежным аналогам. Подложки пригодны к эпитаксиальному росту, что подтверждают отзывы ФТИ им. А.Ф. Иоффе. 2. ОАО «Светлана» обладает всеми необходимыми компетенциями и готово начать поставки подложек полуизолирующего карбида кремния политипа 6Н диаметром 3 дюйма для российских потребителей, при этом цены подложек существенно ниже, чем у других производителей. 3. ОАО «Светлана» открыто для сотрудничества с потребителями подложек для достижения наилучших результатов эпитаксии. 4. Для успешного развития отечественной технологии производства карбида кремния требуется поддержка и взаимодействие потенциальных потребителей и партнеров. После презентации состоялось обсуждение достигнутых результатов и ближайших перспектив развития этого направления в ОАО «Светлана». В обсуждении приняли активное участие ведущие специалисты и руководители приглашенных предприятий и организаций. В ходе обсуждения целый ряд предприятий проявил непосредственный интерес к поставкам подложек карбида кремния из ОАО «Светлана».

Развитие производства подложек карбида кремния станет весомым вкладом ОАО «Светлана» и ОАО «Российская электроника» в обеспечение технологической и стратегической независимости страны.