Инновационная политика

Печать

 

Инновационная политика

 

Инновационная политика фирмы формируется её основными акционерами (АО «Российская электроника» и холдингом «Евроинвест») и руководством ПАО «Светлана» и осуществляется на основе перспективных планов научно-технического развития, которые периодически рассматриваются и верифицируются на заседаниях НТС, Стратегического комитета фирмы, а также на основе комплексного межфирменного взаимодействия с партнерами по научно-техническому развитию и бизнесу – отечественными и зарубежными предприятиями и фирмами, крупнейшими вузами и институтами РАН.

Реализация инновационных НИОКР осуществляется в рамках высокотехнологичных предприятий, входящих в кластер «Инновационно-промышленный комплекс «Светлана» (ИПК «Светлана»):

  • ПАО «Светлана» (материнская компания);
  • АО «Светлана-Электронприбор»;
  • АО «Светлана-Полупроводники»;
  • ЗАО «Светлана-Рентген»;
  • АО «С.Е.Д.-СПб»;
  • ЗАО «Светлана-Рост»;
  • ЗАО «Светлана-Оптоэлектроника»;
  • ЗАО «Полупроводниковые приборы».

Финансирование комплексных работ инновационного развития осуществляется из средств Госбюджета: при выполнении соответствующих мероприятий Федеральных целевых программ; средств инвесторов и собственных средств предприятий кластера ИПК Светлана».

Основные направления инновационных исследований и разработок ИПК «Светлана»:

  • Малогабаритные рентгеновские трубки нового поколения с малым уровнем неиспользуемого излучения.
  • Высокоэффективные мобильные рентгеновские комплексы дистанционного контроля с использованием обратно рассеянного излучения с рентгеновскими трубками собственного производства для скрытого досмотра различных объектов с целью обнаружения оружия, взрывчатых, наркотических и психотропных веществ;
  • Микроволновые электронные приборы и устройства различных классов с радикально улучшенными характеристиками для радиолокационной техники, в т.ч.:

 

  • устройства на широкозонных материалах типа нитрид галлия и карбид кремния для защиты приемников радиолокаторов;
  • приемные и приемо-передающие модули на собственной ЭКБ на основе наногетероструктурных соединений арсенида галлия и нитрида галлия;
  • дискретные фазовращатели различного конструкторско-технологического исполнения;
  • модули формирования и коммутации импульсов сверхкороткой длительности для сверхширокополосных сканирующих антенных решеток РТК связи, радиолокации, телекоммуникации.

 

 травин

  • Разработка промышленных технологий производства подложек полуизолирующего карбида кремния с удельным сопротивлением не менее 5*105Ом х см с целью последующего наращивания гетероэпитаксиальных слоев (GaN/AlGaN и др.), применяемых в производстве полевых транзисторов, резонансных туннельных диодов и другой электронной компонентной базы микроволновых приборов.

 

  • Мощные высокоэффективные белые светодиоды и энергосберегающие светотехнические изделия на их основе; Полный технологический цикл их производства, включающий разработку и производство наногетероструктур методом MOCVD; 

 

  • Радиационно-стойкие микросхемы ключей и коммутаторов и модули на их основе на КМОП кремниевых структурах;
  • Мощные многомодовые лазерные диоды и приборы на их основе: твердотельные лазеры с диодной накачкой; лазерные аппараты и системы для широкого применения в медицине, различных областях промышленности, локации и других целей.

 

  • Микрочипы биохимические для устройств анализа ДНК и других исследований полимеразноцепной реакции в режиме реального времени, изготовленные на стандартном технологическом оборудовании в условиях серийного производства полупроводниковых приборов и интегральных схем.

 

Инновации ЗАО «Светлана-Рост» распространяются на разработку новейших материалов, передовых технологий и инновационных для России принципов деятельности.

ЗАО «Светлана-Рост» является предприятием полного цикла – от разработки и промышленного выпуска эпитаксиальных наногетероструктур до кристального производства микроволновых транзисторов и монолитных интегральных схем.

 

  • Новейшие материалы:

ЗАО «Светлана-Рост» разрабатывает конструкции и технологии эпитаксиальных наногетероструктур в системах материалов арсенида и нитрида галлия, индия и алюминия, составляющих основу современной микроволновой полупроводниковой техники. Предприятие стандартизирует разработанные конструкции наногетероструктур и осуществляет промышленный выпуск разработанных эпитаксиальных наногетероструктур.

  • Передовые технологии:

ЗАО «Светлана-Рост» разрабатывает технологии изготовления микроволновых арсенид-галлиевых монолитных схем и мощных нитридных транзисторов. Предприятие стандартизирует разработанные технологии.

 

  • Принципы деятельности:

ЗАО «Светлана-Рост» позиционирует себя как предприятие фаундри-изготовитель пластин с кристаллами заказанных элементов и изготовитель наногетероструктур. В основу построения производства ЗАО «Светлана-Рост» положено применение стандартизованных технологий и стандартных конструкций наногетероструктур.

 

 

-_